АНОНСЫ

25.01.2010

Компания Intersil представила новое семейство высокоэффективных, малопотребляющих 40В прецизионных операционных усилителей.

22.01.2010

Компания STMicroelectronics представила микросхему цифрового MEMS компаса - датчик LSM303DLH

15.01.2010

Компания Sensonor Technologies AS запустила в производство многоосевой высокопроизводительный гироскопический модуль SIMU202, рассчитанный на применение в авиакосмических и военных приложениях.

11.01.2010

С 2010 года завод приступает к серийному выпуску СВЧ мощных кремниевых биполярных транзисторов с высокими энергетическими характеристиками 2Т9205 А-2 - Е-2.

14.12.2009

E-tec объявляет о начале серийного производства соединителей и кабелей USB 3.0, а также анонсирует новую систему фиксации FastLock для сокетов BGA, LGA, QFN и Gullwing

11.12.2009

Компания ЗАО НПК "Далекс" предлагает кремниевые эпитаксиально – планарные полевые с каналом п-типа транзисторы 2П302А1/ДА, 2П302Б1/ДА, 2П302В1/ДА

10.12.2009

ЗАО НПК "ДАЛЕКС" планирует запуск производства бескорпусных транзисторов и транзисторных сборок модификаций "1" (без кристаллодержателя) и "2" ( на кристаллодержателе ).

09.12.2009

ФГУП "Государственный завод "Пульсар" освоил производство и выпуск биполярных транзисторов, управляемых МОП-затвором (БТИЗ)

09.12.2009

Компания Endevco объявила о выходе нового высокопроизводительного пьезоэлектрического акселерометра 12M1B с высоким импедансом в корпусе микросхемы для поверхностного монтажа.

27.11.2009

На склад ЗАО «Радиант-Элком» поступили инерциальные модули DMU02 производства компании Silicon Sensing Systems (Англия)

Страницы: « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » »

Подписаться на рассылку новостей

Новый СВЧ Транзистор 2Т9205 А-2 ÷ Е-2

ФГУП «ГЗ «Пульсар» представляет новые СВЧ транзисторы с высокими энергетическими характеристиками 2Т9205 А-2 ÷ Е-2.

Закончена работа Госкомиссии по приемке опытно-конструкторской работы «Освоение - P» по разработке СВЧ мощных кремниевых биполярных транзисторов с высокими энергетическими характеристиками 2Т9205 А-2 ÷ Е-2. С 2010 года завод приступает к серийному выпуску транзисторов, разработанных в рамках данной ОКР.

Основные характеристики транзисторов 2Т9205 А-2 ÷ Е-2

Typenumber	Frequency band	Pout	GP	Frequency	Efficiency	UCC	RqJC	Case
Тип	GHz	W	dB	GHz	%	V	C/W	Корпус
2Т9205А-2	0,43-0,44	65	9	0,43-0,44	65	25	1,4	Нестанд.
2Т9205Б-2	0,43-0,44	65	10	0,43-0,44	65	25	1,4	Нестанд.
2Т9205В-2	0,43-0,44	65	10	0,43-0,44	65	25	1,4	Нестанд.
2Т9205Г-2	0,43-0,44	65	10	0,43-0,44	65	25	1,4	Нестанд.
2Т9205Д-2	0,43-0,44	65	10	0,43-0,44	65	25	1,4	Нестанд.
2Т9205Е-2	0,43-0,44	65	9	0,43-0,44	65	25	1,4	Нестанд.

При использовании материалов с сайта, ссылка на источник обязательна