Компания ЗАО НПК "Далекс" анонсирует новые транзисторы п-типа 2П302А1/ДА, 2П302Б1/ДА, 2П302В1/ДА

АНОНСЫ

25.01.2010

Компания Intersil представила новое семейство высокоэффективных, малопотребляющих 40В прецизионных операционных усилителей.

22.01.2010

Компания STMicroelectronics представила микросхему цифрового MEMS компаса - датчик LSM303DLH

15.01.2010

Компания Sensonor Technologies AS запустила в производство многоосевой высокопроизводительный гироскопический модуль SIMU202, рассчитанный на применение в авиакосмических и военных приложениях.

11.01.2010

С 2010 года завод приступает к серийному выпуску СВЧ мощных кремниевых биполярных транзисторов с высокими энергетическими характеристиками 2Т9205 А-2 - Е-2.

14.12.2009

E-tec объявляет о начале серийного производства соединителей и кабелей USB 3.0, а также анонсирует новую систему фиксации FastLock для сокетов BGA, LGA, QFN и Gullwing

11.12.2009

Компания ЗАО НПК "Далекс" предлагает кремниевые эпитаксиально – планарные полевые с каналом п-типа транзисторы 2П302А1/ДА, 2П302Б1/ДА, 2П302В1/ДА

10.12.2009

ЗАО НПК "ДАЛЕКС" планирует запуск производства бескорпусных транзисторов и транзисторных сборок модификаций "1" (без кристаллодержателя) и "2" ( на кристаллодержателе ).

09.12.2009

ФГУП "Государственный завод "Пульсар" освоил производство и выпуск биполярных транзисторов, управляемых МОП-затвором (БТИЗ)

09.12.2009

Компания Endevco объявила о выходе нового высокопроизводительного пьезоэлектрического акселерометра 12M1B с высоким импедансом в корпусе микросхемы для поверхностного монтажа.

27.11.2009

На склад ЗАО «Радиант-Элком» поступили инерциальные модули DMU02 производства компании Silicon Sensing Systems (Англия)

Страницы: « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » »

Подписаться на рассылку новостей

Компания ЗАО НПК "Далекс" предлагает кремниевые эпитаксиально – планарные полевые с каналом п-типа транзисторы 2П302А1/ДА, 2П302Б1/ДА, 2П302В1/ДА в металлостеклянном корпусе предназначенные для применения в аппаратуре специального назначения.

Основное назначение транзисторов – применение в широкополосных усилителях, коммутирующих устройствах на частотах до 150 МГц, малошумящих схемах в аппаратуре специального назначения.

При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий их необходимо крепить за корпус.

1 -исток, 2 – сток, 3 – затвор / Масса - не более 1,5 г

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

Основные электрические параметры при tamb= (25 ±10)°С

Наименование параметра, режим измерения, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения	Буквенное обозначение	не менее	не более
Тoк утечки затвора (UСИ = 0 В, UЗИ= -10 В), мкА	I_{З. ут}		0,01
Начальный ток стока(UСИ=7 В, UЗИ= 0 В), мА 2П302А1/ДА, 2П302Б1/ДА, (UСИ=10 В, UЗИ= 0 В), мА 2П302В1/ЭА	I_{С нач}	3 18 33	24 43 -
Напряжение отсечки (UСИ=7 В, IС= 0,01 мА), В 2П302А1/ДА, 2П302Б1/ДА, 2П302В1/ДА	U_ЗИ.отс		-5 -7 -10
Обратный ток перехода затвор-сток (UЗС= -20В), мкА	I_ЗС_O		1,0
Крутизна характеристики (UСИ= 7 В, UЗИ= 0 В, f=50 -1500Гц), мА/ В 2П302А1/ДА 2П302Б1/ДА	S	5 7
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (UСИ= 0,2 В, UЗИ= 0 В), Ом 2П302Б1/ДА 2П302В1/ДА	R_C_И.отк		150 100
Входная емкость (UСИ=10 В, f=10мГц), пФ 2П302А1/ДА (IС=3мА) 2П302Б1/ДА (IС=18мА) 2П302В1/ДА (IС=33мА)	С_11И		20,0
Проходная емкость(UСИ=10В, f=10мГц), пФ 2П302А1/ДА (IС=3мА) 2П302Б1/ДА (IС=18мА)	С_12И		8,0

Содержание драгоценных металлов в одном транзисторе: золото - мг. в том числе г/мм на 3 выводах длиной (13,5±1) мм.

Содержание цветных металлов и их сплавов в одном транзисторе: Цветных металлов не содержится


НАДЕЖНОСТЬ

Минимальная наработка транзисторов в режимах и условиях, допускаемых ТУ -80000ч.
Минимальная наработка в облегченных режимах и условиях -100000 ч.
при UСИ ≤ 15 В IС.max≤ 16,5 мА 2П302А1/ДА
UСИ ≤ 13 В IС.max≤ 20,0 мА 2П302Б1/ДА
UСИ ≤ 8 В IС.max≤ 30,0 мА 2П302В1/ДА
Минимальный срок сохраняемости – 25 лет.