АНОНСЫ
SiP4613A/B - одноамперный ключ верхнего уровня в корпусе PowerPAK® TSC75-6
Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство новый одноамперный ключ верхнего уровня в корпусе PowerPAK® TSC75-6. Предлагаемое изделие имеет возможность регулировки пределов выходного тока и может функционировать в пределах напряжений - 2,4...5,5В.
Технические характеристики
- Диапазон напряжений питания - 2,4...5,5 В
- Защита от перегрева
- Предельный уровень выходного тока - 1 А (кратковременно - 2 А)
- Низкий ток покоя
- Блокировка по перенапряжению
- Устойчивость к электростатическому разряду величиной 4 кВ
- Рассеиваемая мощность - 420 мВт
- Диапазон рабочих температур - -40...+150 °C
Области применения: периферийные порты, схемы "горячего переключения", ноутбуки и компьютеры, PDA устройства.
SiB800EDK - двадцативольтный n-канальный MOSFET с диодом Шоттки в габаритах 1,6х1,6х0,75 мм
Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство новый MOSFET со встроенным диодом Шоттки. На сегодняшний день, предлагаемое изделие имеет наименьшие габариты среди других изделий с аналогичными характеристиками из представленных на рынке.
Технические характеристики
- Максимальное напряжение сток-исток - 20 В
- Максимальное обратное напряжение на диоде Шоттки - 30 В
- Максимальный ток стока - 1,5 А
- Сопротивление открытого канала - 0,96 Ом (при напряжении на затворе - 1,5 В); 0,225 Ом (при напряжении на затворе 4,5 В)
- Падение прямого напряжения на диоде Шоттки - 0,32 В, при токе 100 мА
- Габариты - 1,6х1,6х0,75 мм
- Диапазон рабочих температур - -55...+150 °C
Области применения: портативная электроника, DC/DC преобразователи, сотовые телефоны, "наладонники", цифровые камеры, MP3 плееры, смартфоны...
Si7633DP, Si7135DP, Si4459ADY - мощные MOSFETы по технологии TrenchFET® с пониженным сопротивлением открытого канала
Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство новую группу p-канальных MOSFETов выполненных по технологии TrenchFET®. Предлагаемые изделия имеют максимальные рабочие напряжениях 20 и 30 В, наименьшие значения сопротивлений открытого канала среди других аналогичных изделий, выполнены в корпусе SO-8.
Технические характеристики представлены в таблице
Наименование | Uси, В | Uзи, В | Ron, мОм при Uзи=10 В | Ron, мОм при Uзи=4,5 В | I с, А | Qз, нс |
-20 | ± 20 | 3,3 | 5,5 | -60 | 85 | |
-30 | ± 20 | 3,9 | 6,2 | -60 | 78 | |
-30 | ± 20 | 5,0 | 7,75 | -29 | 61 |
Область применения: управление нагрузкой в схемах питания.
