АНОНСЫ
SiS426DN, SiR496DP, Si7718DN, Si7784DP - мощные n-канальные MOSFETы по технологии TurboFET™
Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство новую серию двадцати и тридцативольтных мощных TrenchFET® Gen III MOSFETов, выполненных по технологии TurboFET™. Предлагаемые изделия оптимизированы для применения в схемах требующих пониженных потерь переключения на высоких частотах.
Технические характеристики приведены в таблице.
Наименование | ||||
Корпус | PowerPAK 1212-8 | PowerPAK SO-8 | PowerPAK 1212-8 | PowerPAK SO-8 |
Vdc | 20 | 30 | ||
Rds(on) at 4.5 V | 5.8 mΩ | 8.2 mΩ | ||
Rds(on) at 10 V | 4.2 mΩ | 6 mΩ | ||
Qg (Typ.) at 4.5 V | 13.2 nC | 13.7 nC | ||
Qg (Typ.) at 10 V | 28 nC | 30 nC | ||
Rds(on) x Qg @ Vgs = 4.5 V | 76.6 mΩ-nC | 112.34 mΩ-nC | ||
Rds(on) x Qg @ Vgs = 10 V | 117.6 mΩ-nC | 180 mΩ-nC | ||
Обласи применения: модули прямого и обратного преобразований напряжения, регуляторы напряжения, ноутбуки, серверы и т. д.
SiR440DP, SiR866DP, SiR890DP - двадцативольтные MOSFET по технологии TrenchFET®
Компания Vishay Intertechnology Inc. запустила в производство двадцативольтные MOSFETы третьего поколения выполненные по технологии TrenchFET®. Предлагаемые изделия имеют сопротивление открытого конала 2 мОм при напряжении на затворе 4,5 В, и 1,55 мОм при 10В. По сравнению с существующими приборами, показатели сопротивления в открытом состоянии у предлагаемых приборов на 23 % лучше при напряжении 4,5 В, на 22,5 % при напряжении 10 В.
Области применения: повышающие преобразователи, цепи вторичного выпрямления, узлы реализации функции "ИЛИ", регуляторы напряжения, серверы, преобразователи энергии.
